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合肥安德科铭申请一种ⅣB族元素前驱体及其在薄膜沉积中的应用专利,能够提高制备得到的薄膜的膜质

0次浏览     发布时间:2025-04-05 11:14:00    

金融界2025年4月5日消息,国家知识产权局信息显示,合肥安德科铭半导体科技有限公司申请一项名为“一种ⅣB族元素前驱体及其在薄膜沉积中的应用”的专利,公开号CN 119753637 A,申请日期为2024年12月。

专利摘要显示,本发明提供一种ⅣB族元素前驱体及其在薄膜沉积中的应用,所述ⅣB族元素前驱体的结构为:L‑M‑(NR 'R")x[O‑(CR1R2‑CR3R4)n‑NR5R6]y,本发明的ⅣB族元素前驱体能够提高前驱体源的稳定性,可以拓宽ALD窗口,满足更高温度的沉积需求,能够提高制备得到的薄膜的膜质。

天眼查资料显示,合肥安德科铭半导体科技有限公司,成立于2018年,位于合肥市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1321.1672万人民币。通过天眼查大数据分析,合肥安德科铭半导体科技有限公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目4次,财产线索方面有商标信息5条,专利信息70条,此外企业还拥有行政许可5个。

本文源自金融界

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